Déjà il n’y aurait plus à prendre en compte les problèmes de gain, de saturation, de temps de commutation.
Le problème avec les mosfet’s de puissance, c’est leur importante capacité gate/source qui nécessite d’être chargée/déchargée vigoureusement pour ne pas dégrader les performances en commutation. La figure 35 de la note d’application AN920 incorpore un circuit basique d’aide la commutation pour un mosfet canal N. Ce schéma de circuit d’assistance composé d’un transistor PNP et d’une diode été repris sur de nombreux schémas du net comme celui de ce convertisseur step-up:
Source : static.electro-tech-online.com/c … _8mg-1.jpg
On trouve y aussi la réciproque pour les mosfet’s de canal P, un transistor NPN avec une diode pour un convertisseur de type step-down:
Source : cnblogs.com/LittleTiger/p/3999808.html
On pourrait combiner les deux circuits d’assistance ensemble, celui du mosfet canal P sur la sortie collecteur du MC33063 (1) et celui du mosfet canal N sur la sortie émetteur (2). Avec des résistances de charge égales, ce qui est le cas pour ces deux bouts de schéma (1 k?), chaque gate recevra alors que la moitié de la tension d’alimentation pour commander les deux mosfet’s complémentaires à l’état ON, mais sera-ce alors suffisant ?
L’autre solution pour bénéficier d’une tension de commande des gates proche de celle d’alimentation, serait d’intercaler un circuit driver spécialisé du genre IR4428 pour piloter les gates séparément. Entrées A et B de l’IR4428 en // sur la sortie émetteur du MC33063, sortie inverseuse A sur la gate du mosfet canal P, sortie directe B sur la gate du mosfet canal N.