En 1958 le FET Made in france

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En 1958 le FET Made in france

Messagepar ROGER33 » Lun 13 Nov 2017 23h40

Ben oui hier je l'ai mit mais j'ai dû faire fausse manip.
Donc je le remet ce soir
Effet de champ en 1958 !.jpg

Article paru dans le HP N° 1000 de 1958.
Une belle occasion manquée...Que les ricains quelques temps après ont utilisé en epitaxie...
Ce fut je crois le 2N3819.

il a fallu attendre encore 10ans pour que Concorde prenne son envol...The best of the world quand même!
http://www.ina.fr/video/CAF96056053
A cette époque épique, la France se rêvait grande... Même seule.

Bonne lecture...Faut grossir, (la def pas terrible because 800Ko max.)
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Re: En 1958 le FET Made in france

Messagepar ROGER33 » Jeu 23 Nov 2017 11h54

Pas de nostalgiques de cette formidable invention française ...Hélas sans suite commerciale?
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Re: En 1958 le FET Made in france

Messagepar F6CER » Jeu 23 Nov 2017 19h53

Bonsoir
il semble que ce soit la première réalisation commerciale du FET mais les brevets sont bien plus anciens :
The field-effect transistor was first patented by Julius Edgar Lilienfeld in 1926 and by Oskar Heil in 1934, but practical semiconducting devices (the junction field-effect transistors [JFETs]) were developed later after the transistor effect was observed and explained by the team of William Shockley at Bell Labs in 1947, immediately after the 20-year patent period eventually expired.
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Re: En 1958 le FET Made in france

Messagepar ROGER33 » Jeu 23 Nov 2017 20h22

Ha! Quelqu'un aurait trouvé un "effet 'de champ" sur un semiconducteur en 1926?

Etrange... Mais bon...Peut être. Dans ce cas pourquoi avoir perdu son temps avec ces lampes thermionique durant 50 piges?
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Re: En 1958 le FET Made in france

Messagepar F6CER » Ven 24 Nov 2017 00h03

a cette époque on avait aussi inventé la diode tunel , ça fait partie des choses que l'on industrialise des dizaines d'années après
il y a un tas de choses issues de la recherche fondamentale et qui ont été entièrement décrits sur le papier avant leur industrialisation
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Re: En 1958 le FET Made in france

Messagepar René » Jeu 14 Déc 2017 10h29

Bonjour,

Un lien:
https://sites.google.com/site/transisto ... -in-france

Image

The Tecnétron



The Tecnétron was invented by Stanislas Teszner in 1957 working at CNET. It was the first practical field effect transistor; a semiconductor amplifier that was first postulated by Lilienfeld in 1928 although never demonstrated.

The Tecnétron was made from an n-type germanium rod 2mm long and 0.5mm in diameter. Midway the rod was etched down to form a neck only 30 microns across and this area was coated with indium to make a barrier layer rectifying contact. Ohmic contacts were made to each end of the rod forming the anode and cathode of the device.

The field effect was exercised by a negative bias on the neck which was the control electrode. The negative bias repelled the electrons passing through the neck constricting them and creating an apparent increase in resistance between the anode and cathode. Unlike the original Lilienfeld concept and modern planar devices Teszner obtained his effect in two dimensions giving a square law sensitivity.

The word Tecnétron is derived from the first two letters of the name of the creator (Teszner) followed by CNET and ending in the traditional suffix for an active device, “tron.”

At the time the high frequency performance of the device was remarkable: up to 500Mhz was possible. Toute la Radio suggested that the "tecnétron could provide an attractive solution to such problems of portable self-powered radio equipment, operating in VHF and even thereafter in UHF. Guided missiles and artificial satellites being two current examples." [Toute la Radio 1958]
René
 
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